Скачать электронную версию статьи (по коду доступа).

English Abstract

ИЗУЧЕНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОСТУКТУРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ БИОСЕНСОРОВ МЕТОДОМ МАТЕМАТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ
А.Г. Гудков, В.Г. Тихомиров, С.В. Агасиева, В.Н. Вьюгинов, В.В. Жердева, А.А. Зыбин, Ю.Л. Рыбаков, В.М. Гукасов

Проведено численное моделирование влияния внешних воздействий на вольтамперные характеристики полевых транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN для биосенсоров. В качестве базовых инструментов для моделирования и оптимизации HEMТ-транзисторов использовались программные пакеты для численного моделирования полупроводниковых приборов. Результаты моделирования сравнивались с экспериментальными результатами измерения электрофизических параметров гетероструктур и НЕМТ транзисторов.

Ключевые слова: гетероструктура, НЕМТ транзисторы, моделирование, выходные параметры, биосенсоры, ПСА

Реферат

STUDY OF THE OUTPUT CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURE TRANSISTORS FOR BIOSENSORS BY A METOD OF MATHEMATICAL MODELING
A.G. Gudkov, V.G. Tihomirov, S.V. Agasieva, V.N. Viyginov, V.V. Zherdeva, A.A. Zybin, Y.L. Rybakov, V.M. Gukasov

Numerical simulation of the influence of external effects on current-voltage characteristics of field-effect transistors based on heterostructures AlGaN/GaN for biosensors was carried out in the present work. Software for numerical modeling of semiconductor devices was used for modeling and optimization of HEMT transistors. The simulation results were compared with the experimental results of measurements of electrophysical parameters of heterostructures and HEMT transistors.

Key words: heterostructure, HEMT transistors, modeling, output parameters, biosensors, PSA